Vennote IBM en Samsung Electronics kondig die ontwikkeling van 'n nuwe skyfie-ontwerp aan. Deur die transistors van 'n skyfie op 'n alternatiewe manier te rangskik, sê die organisasies hulle het 'n metode om slimfone met weeklange batterylewe te vervaardig.
Die meeste organisasies met 'n belangstelling in skyfie-ontwikkeling belê in die afskaling van transistors. Hoe kleiner die transistors, hoe meer transistors laat 'n skyfie toe. Hoe meer transistors 'n skyfie toelaat, hoe meer effektief is die skyfie.
IBM is geen uitsondering op die reël nie. Die organisasie het vroeër vanjaar gesê hy het 'n belangrike stap geneem in die rigting van die gesogte 2 nanometer (nm) transistor. In dieselfde tydperk het die Nederlandse chipvervaardiger ASML 'n soortgelyke ontwikkeling aangekondig.
Tegnologie vir die vervaardiging van 2nm transistors skep 'n belangrike voorwaarde vir chip verbetering. Maar daar is verskeie paaie wat na Rome lei. IBM en Samsung Electronics sê hulle het een van daardie weë gevind. Hulle pad draai nie om die grootte van transistors nie, maar die ruimtelike rangskikking van transistors.
Die tegnologie
Tans gebruik skyfievervaardigers soos TSMC en Samsung Electronics 'n sogenaamde FinFET-ontwerp, kort vir 'vin-veldeffek-transistor'. IBM en Samsung Electronics kom uit met 'n VTFET-ontwerp, kort vir 'vertikale vervoerveldeffektransistors'.
Samsung en IBM sê die VTFET-ontwerp kan twee keer die krag en 85 persent minder kragverbruik lewer as FinFET-ontwerpe. Die rede? "'n Vertikale rangskikking van transistors, anders as FinFET," het die organisasies gesê.
Die prent hieronder skets die ontwerpverskil. Alhoewel IBM die ontwerp suksesvol getoets het met die vervaardiging van toetsskyfies, spesifiseer die organisasies nie of en wanneer die skyfies op die mark sal verskyn nie. Die organisasies sê egter dat VTFET die weg baan vir slimfone met meer as ’n week batterylewe en meer doeltreffende IoT-toepassings in ruimteskepe en selfbesturende voertuie.