Partnerne IBM og Samsung Electronics annoncerer udviklingen af et nyt chipdesign. Ved at arrangere transistorerne på en chip på en alternativ måde, siger organisationerne, at de har en metode til at producere smartphones med ugelang batterilevetid.
De fleste organisationer med interesse i chipudvikling investerer i nedskæring af transistorer. Jo mindre transistorer, jo flere transistorer tillader en chip. Jo flere transistorer en chip tillader, jo mere effektiv er chippen.
IBM er ingen undtagelse fra reglen. Tidligere i år sagde organisationen, at den havde taget et vigtigt skridt hen imod den eftertragtede 2 nanometer (nm) transistor. I samme periode annoncerede den hollandske chipproducent ASML en lignende udvikling.
Teknologi til produktion af 2nm transistorer skaber en vigtig forudsætning for chipforbedring. Men der er flere veje, der fører til Rom. IBM og Samsung Electronics siger, at de har fundet en af disse veje. Deres vej drejer sig ikke om størrelsen af transistorer, men det rumlige arrangement af transistorer.
Teknologien
I øjeblikket bruger chipproducenter som TSMC og Samsung Electronics et såkaldt FinFET-design, en forkortelse for 'fin field-effect transistor'. IBM og Samsung Electronics udkommer med et VTFET-design, en forkortelse for 'vertical transport field effect transistors'.
Samsung og IBM siger, at VTFET-designet kan levere dobbelt så meget strøm og 85 procent mindre strømforbrug end FinFET-design. Grunden? "Et vertikalt arrangement af transistorer i modsætning til FinFET," sagde organisationerne.
Billedet nedenfor skitserer designforskellen. Selvom IBM har testet designet med succes med produktionen af testchips, specificerer organisationerne ikke, om og hvornår chipsene kommer på markedet. Organisationerne siger dog, at VTFET baner vejen for smartphones med mere end en uges batterilevetid og mere effektive IoT-applikationer i rumskibe og selvkørende køretøjer.