شرکای IBM و Samsung Electronics توسعه یک طراحی جدید تراشه را اعلام کردند. با چیدمان ترانزیستورهای یک تراشه به روشی جایگزین، سازمان ها می گویند روشی برای تولید گوشی های هوشمند با عمر باتری یک هفته ای دارند.
بیشتر سازمان هایی که به توسعه تراشه علاقه دارند، روی کوچک کردن ترانزیستورها سرمایه گذاری می کنند. هر چه ترانزیستورها کوچکتر باشند، ترانزیستورهای بیشتری را یک تراشه اجازه می دهد. هر چه تراشه ترانزیستورهای بیشتری اجازه دهد، تراشه کارآمدتر است.
IBM نیز از این قاعده مستثنی نیست. در اوایل سال جاری، این سازمان اعلام کرد که گام مهمی به سمت ترانزیستور 2 نانومتری (nm) برداشته است. در همان دوره، سازنده تراشه هلندی ASML توسعه مشابهی را اعلام کرد.
فناوری تولید ترانزیستورهای 2 نانومتری پیش شرط مهمی برای بهبود تراشه ایجاد می کند. اما چندین جاده وجود دارد که به رم ختم می شود. IBM و Samsung Electronics می گویند یکی از این راه ها را پیدا کرده اند. مسیر آنها حول اندازه ترانزیستورها نمی چرخد، بلکه آرایش فضایی ترانزیستورها است.
تکنولوژی
در حال حاضر، تولیدکنندگان تراشه مانند TSMC و Samsung Electronics از طرحی به اصطلاح FinFET استفاده میکنند که مخفف «ترانزیستور اثر میدان باله» است. IBM و Samsung Electronics با طراحی VTFET، مخفف «ترانزیستورهای اثر میدان انتقال عمودی» وارد بازار میشوند.
سامسونگ و آیبیام میگویند طراحی VTFET میتواند دو برابر قدرت و ۸۵ درصد مصرف انرژی کمتر از طراحیهای FinFET ارائه دهد. دلیل؟ سازمانها گفتند: «آرایش عمودی ترانزیستورها، برخلاف FinFET».
تصویر زیر تفاوت طراحی را نشان می دهد. اگرچه آیبیام با تولید تراشههای آزمایشی طراحی را با موفقیت آزمایش کرد، اما سازمانها مشخص نمیکنند که آیا و چه زمانی این تراشهها در بازار ظاهر میشوند یا خیر. با این حال، سازمان ها می گویند که VTFET راه را برای گوشی های هوشمند با عمر باتری بیش از یک هفته و برنامه های کاربردی اینترنت اشیاء موثرتر در سفینه های فضایی و وسایل نقلیه خودران هموار می کند.