პარტნიორები IBM და Samsung Electronics აცხადებენ ახალი ჩიპის დიზაინის შემუშავებაზე. ჩიპის ტრანზისტორების ალტერნატიული გზით მოწყობით, ორგანიზაციები აცხადებენ, რომ მათ აქვთ სმარტფონების წარმოების მეთოდი ერთკვირიანი ბატარეით.
ჩიპების შემუშავებით დაინტერესებული ორგანიზაციების უმეტესობა ინვესტირებას ახდენს ტრანზისტორების შემცირებაში. რაც უფრო პატარაა ტრანზისტორი, მით მეტი ტრანზისტორი იძლევა ჩიპი. რაც უფრო მეტ ტრანზისტორს იძლევა ჩიპი, მით უფრო ეფექტურია ჩიპი.
IBM არ არის გამონაკლისი წესიდან. ამ წლის დასაწყისში ორგანიზაციამ განაცხადა, რომ მნიშვნელოვანი ნაბიჯი გადადგა სასურველი 2 ნანომეტრიანი (ნმ) ტრანზისტორისკენ. იმავე პერიოდში ჰოლანდიურმა ჩიპების მწარმოებელმა ASML-მა გამოაცხადა მსგავსი განვითარება.
2 ნმ ტრანზისტორების წარმოების ტექნოლოგია ქმნის ჩიპის გაუმჯობესების მნიშვნელოვან წინაპირობას. მაგრამ არის რამდენიმე გზა, რომელიც რომში მიდის. IBM და Samsung Electronics ამბობენ, რომ მათ იპოვეს ერთ-ერთი ასეთი გზა. მათი გზა ტრიალებს არა ტრანზისტორების ზომაზე, არამედ ტრანზისტორების სივრცით განლაგებას.
Ტექნოლოგია
ამჟამად, ჩიპების მწარმოებლები, როგორებიცაა TSMC და Samsung Electronics, იყენებენ ეგრეთ წოდებულ FinFET დიზაინს, მოკლედ "fin field-effect transistor". IBM და Samsung Electronics გამოდიან VTFET დიზაინით, მოკლედ "ტრანზისტორების ვერტიკალური სატრანსპორტო ველის ეფექტით".
Samsung და IBM ამბობენ, რომ VTFET დიზაინს შეუძლია ორჯერ მეტი სიმძლავრე და 85 პროცენტით ნაკლები ენერგიის მოხმარება, ვიდრე FinFET დიზაინებს. Მიზეზი? "ტრანზისტორების ვერტიკალური მოწყობა, FinFET-ისგან განსხვავებით", - განაცხადეს ორგანიზაციებმა.
ქვემოთ მოყვანილი სურათი ასახავს დიზაინის განსხვავებას. მიუხედავად იმისა, რომ IBM-მა წარმატებით გამოსცადა დიზაინი სატესტო ჩიპების წარმოებით, ორგანიზაციები არ აკონკრეტებენ, გამოჩნდება თუ არა და როდის გამოჩნდება ჩიპები ბაზარზე. თუმცა, ორგანიზაციები აცხადებენ, რომ VTFET გზას უხსნის სმარტფონებს, რომლებსაც აქვთ ერთ კვირაზე მეტი ბატარეა და უფრო ეფექტური IoT აპლიკაციები კოსმოსურ ხომალდებსა და თვითმართვაზე.