Partner IBM a Samsung Electronics annoncéieren d'Entwécklung vun engem neien Chip Design. Andeems se d'Transistoren vun engem Chip op eng alternativ Manéier arrangéieren, soen d'Organisatiounen datt si eng Method hunn fir Smartphones mat Wochelaang Batterieliewen ze produzéieren.
Déi meescht Organisatiounen mat engem Interessi un der Chipentwécklung investéieren an Ofsenkungstransistoren. Wat méi kleng d'Transistoren sinn, wat méi Transistoren en Chip erlaabt. Wat méi Transistoren en Chip erlaabt, wat méi effektiv den Chip.
IBM ass keng Ausnahm zu der Regel. Virdrun dëst Joer huet d'Organisatioun gesot datt et e wichtege Schrëtt a Richtung de begeeschterten 2 Nanometer (nm) Transistor gemaach huet. An der selwechter Period huet den hollännesche Chiphersteller ASML eng ähnlech Entwécklung ugekënnegt.
Technologie fir d'Produktioun vun 2nm Transistoren kreéiert eng wichteg Viraussetzung fir Chipverbesserung. Awer et gi verschidde Stroossen déi op Roum féieren. IBM a Samsung Electronics soen datt si eng vun dësen Avenuen fonnt hunn. Hire Wee dréint sech net ëm d'Gréisst vun den Transistoren, mee d'raimlech Arrangement vun den Transistoren.
D'Technologie
Momentan benotzen Chiphersteller wéi TSMC a Samsung Electronics e sougenannte FinFET Design, kuerz fir 'Fin Field-Effect Transistor'. IBM a Samsung Electronics kommen mat engem VTFET Design eraus, kuerz fir 'vertikal Transportfeldeffekttransistoren'.
Samsung an IBM soen datt de VTFET Design zweemol d'Kraaft liwwere kann an 85 Prozent manner Stroumverbrauch wéi FinFET Designs. D'Ursaach? "Eng vertikal Arrangement vun Transistoren, am Géigesaz zu FinFET," soten d'Organisatiounen.
D'Bild hei drënner beschreift den Designdifferenz. Och wann IBM den Design mat der Produktioun vun Testchips erfollegräich getest huet, spezifizéieren d'Organisatiounen net ob a wéini d'Chips um Maart erscheinen. Wéi och ëmmer, d'Organisatiounen soen datt VTFET de Wee fir Smartphones mat méi wéi enger Woch Batterie Liewen a méi effektiv IoT Uwendungen a Raumschëffer a selbstfahrend Gefierer mécht.