भागीदार IBM आणि Samsung Electronics ने नवीन चिप डिझाइनच्या विकासाची घोषणा केली. चिपच्या ट्रान्झिस्टरला पर्यायी मार्गाने व्यवस्था करून, संस्था म्हणतात की त्यांच्याकडे आठवडाभर चालणाऱ्या बॅटरी लाइफसह स्मार्टफोन तयार करण्याची पद्धत आहे.
चिप डेव्हलपमेंटमध्ये स्वारस्य असलेल्या बहुतेक संस्था ट्रान्झिस्टर कमी करण्यासाठी गुंतवणूक करतात. ट्रान्झिस्टर जितके लहान असतील तितके अधिक ट्रान्झिस्टर एक चिप परवानगी देते. चिप जितक्या जास्त ट्रान्झिस्टरला परवानगी देईल तितकी चिप अधिक प्रभावी होईल.
IBM नियमाला अपवाद नाही. या वर्षाच्या सुरुवातीला, संस्थेने सांगितले की त्यांनी प्रतिष्ठित 2 नॅनोमीटर (nm) ट्रान्झिस्टरच्या दिशेने एक महत्त्वाचे पाऊल उचलले आहे. त्याच कालावधीत, डच चिप निर्माता ASML ने समान विकासाची घोषणा केली.
2nm ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनासाठी तंत्रज्ञान चिप सुधारण्यासाठी एक महत्त्वाची पूर्वस्थिती निर्माण करते. पण रोमला जाणारे अनेक रस्ते आहेत. आयबीएम आणि सॅमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स म्हणतात की त्यांना त्यापैकी एक मार्ग सापडला आहे. त्यांचा मार्ग ट्रान्झिस्टरच्या आकाराभोवती फिरत नाही तर ट्रान्झिस्टरच्या अवकाशीय व्यवस्थेभोवती फिरत आहे.
तंत्रज्ञान
सध्या, TSMC आणि Samsung Electronics सारखे चिप उत्पादक तथाकथित FinFET डिझाइन वापरतात, जे 'फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर' साठी लहान आहे. IBM आणि Samsung Electronics VTFET डिझाईन घेऊन येत आहेत, 'उभ्या ट्रान्सपोर्ट फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर' साठी लहान.
Samsung आणि IBM म्हणतात की VTFET डिझाइन FinFET डिझाइनपेक्षा दुप्पट पॉवर आणि 85 टक्के कमी वीज वापर देऊ शकते. कारण? "FinFET च्या विपरीत ट्रान्झिस्टरची उभी व्यवस्था," संघटनांनी सांगितले.
खालील प्रतिमा डिझाइनमधील फरक दर्शवते. IBM ने चाचणी चिप्सच्या उत्पादनासह डिझाइनची यशस्वी चाचणी केली असली तरी, चिप्स बाजारात केव्हा आणि केव्हा येतील हे संस्थांनी निर्दिष्ट केलेले नाही. तथापि, संस्थांचे म्हणणे आहे की VTFET एक आठवड्यापेक्षा जास्त बॅटरी लाइफ असलेल्या स्मार्टफोन्सचा मार्ग मोकळा करत आहे आणि स्पेसशिप आणि सेल्फ ड्रायव्हिंग वाहनांमध्ये अधिक प्रभावी IoT ऍप्लिकेशन्स आहेत.