Đối tác IBM và Samsung Electronics công bố phát triển thiết kế chip mới Bằng cách sắp xếp các bóng bán dẫn của chip theo một cách khác, các tổ chức cho biết họ có phương pháp sản xuất điện thoại thông minh có thời lượng pin kéo dài cả tuần.
Hầu hết các tổ chức quan tâm đến việc phát triển chip đều đầu tư vào việc giảm kích thước bóng bán dẫn. Các bóng bán dẫn càng nhỏ thì chip càng cho phép nhiều bóng bán dẫn. Con chip cho phép càng nhiều bóng bán dẫn thì con chip đó càng hoạt động hiệu quả.
IBM cũng không nằm ngoài quy luật đó. Đầu năm nay, tổ chức này cho biết họ đã thực hiện một bước quan trọng đối với bóng bán dẫn 2 nanomet (nm) đáng thèm muốn. Trong cùng thời gian, nhà sản xuất chip ASML của Hà Lan cũng công bố một diễn biến tương tự.
Công nghệ sản xuất bóng bán dẫn 2nm tạo tiền đề quan trọng cho việc cải tiến chip. Nhưng có một số con đường dẫn đến Rome. IBM và Samsung Electronics cho biết họ đã tìm ra một trong những con đường đó. Đường đi của chúng không xoay quanh kích thước của bóng bán dẫn mà xoay quanh sự sắp xếp không gian của bóng bán dẫn.
Công nghệ
Hiện tại, các nhà sản xuất chip như TSMC và Samsung Electronics sử dụng cái gọi là thiết kế FinFET, viết tắt của “bóng bán dẫn hiệu ứng trường vây”. IBM và Samsung Electronics sắp ra mắt thiết kế VTFET, viết tắt của 'bóng bán dẫn hiệu ứng trường vận chuyển dọc'.
Samsung và IBM cho biết thiết kế VTFET có thể cung cấp năng lượng gấp đôi và tiêu thụ điện năng ít hơn 85% so với thiết kế FinFET. Nguyên nhân? Các tổ chức cho biết: “Sự sắp xếp theo chiều dọc của các bóng bán dẫn, không giống như FinFET”.
Hình ảnh dưới đây phác thảo sự khác biệt về thiết kế. Mặc dù IBM đã thử nghiệm thành công thiết kế với việc sản xuất chip thử nghiệm nhưng các tổ chức này không xác định liệu các chip này có xuất hiện trên thị trường hay không và khi nào. Tuy nhiên, các tổ chức này cho rằng VTFET đang mở đường cho điện thoại thông minh có thời lượng pin hơn một tuần và các ứng dụng IoT hiệu quả hơn trong tàu vũ trụ và xe tự lái.