合作伙伴 IBM 和三星电子宣布开发新的芯片设计。 通过以另一种方式排列芯片的晶体管,这些组织表示他们有一种方法可以生产出电池寿命长达一周的智能手机。
大多数对芯片开发感兴趣的组织都投资于缩小晶体管的尺寸。 晶体管越小,芯片允许的晶体管越多。 芯片允许的晶体管越多,芯片的效率就越高。
IBM 也不例外。 今年早些时候,该组织表示已朝着令人垂涎的 2 纳米 (nm) 晶体管迈出了重要一步。 同一时期,荷兰芯片制造商 ASML 也宣布了类似的发展。
2nm晶体管的生产技术为芯片改进创造了重要的先决条件。 但是有几条道路通向罗马。 IBM 和三星电子表示,他们已经找到了其中一种途径。 它们的路径不是围绕晶体管的大小,而是围绕晶体管的空间排列。
该技术
目前,台积电和三星电子等芯片制造商使用所谓的 FinFET 设计,即“鳍式场效应晶体管”的简称。 IBM 和三星电子推出了 VTFET 设计,是“垂直传输场效应晶体管”的缩写。
三星和 IBM 表示,与 FinFET 设计相比,VTFET 设计可以提供两倍的功率和 85% 的功耗。 原因? “与 FinFET 不同,晶体管的垂直排列,”这些组织表示。
下图概述了设计差异。 尽管 IBM 通过生产测试芯片成功地测试了该设计,但这些组织并未具体说明这些芯片是否以及何时上市。 然而,这些组织表示,VTFET 正在为电池寿命超过一周的智能手机以及在宇宙飞船和自动驾驶汽车中更有效的物联网应用铺平道路。