合作夥伴 IBM 和三星電子宣布開發新的芯片設計。 通過以另一種方式排列芯片的晶體管,這些組織表示他們有一種方法可以生產出電池壽命長達一周的智能手機。
大多數對芯片開發感興趣的組織都投資於縮小晶體管的尺寸。 晶體管越小,芯片允許的晶體管越多。 芯片允許的晶體管越多,芯片的效率就越高。
IBM 也不例外。 今年早些時候,該組織表示已朝著令人垂涎的 2 納米 (nm) 晶體管邁出了重要一步。 同一時期,荷蘭芯片製造商 ASML 也宣布了類似的發展。
2nm晶體管的生產技術為芯片改進創造了重要的先決條件。 但是有幾條道路通向羅馬。 IBM 和三星電子表示,他們已經找到了其中一種途徑。 它們的路徑不是圍繞晶體管的大小,而是圍繞晶體管的空間排列。
該技術
目前,台積電和三星電子等芯片製造商使用所謂的 FinFET 設計,即“鰭式場效應晶體管”的簡稱。 IBM 和三星電子推出了 VTFET 設計,是“垂直傳輸場效應晶體管”的縮寫。
三星和 IBM 表示,與 FinFET 設計相比,VTFET 設計可以提供兩倍的功率和 85% 的功耗。 原因? “與 FinFET 不同,晶體管的垂直排列,”這些組織表示。
下圖概述了設計差異。 儘管 IBM 通過生產測試芯片成功地測試了該設計,但這些組織並未具體說明這些芯片是否以及何時上市。 然而,這些組織表示,VTFET 正在為電池壽命超過一周的智能手機以及在宇宙飛船和自動駕駛汽車中更有效的物聯網應用鋪平道路。